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固体物理セミナー 平成25年度 第7回
2014年1月14日
固体物理セミナー
（平成２５年度 第７回）
(インタラクティブ物質科学カデットプログラム講演会)
日時：１月１４日（火）14：40-16:10
場所：基礎工学部 A４０３講義室
講師：久保田 均
（産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター）
題目：「スピントロニクスデバイスの発展」
概要： 磁性金属人工格子における巨大磁気抵抗効果(GMR)の発見(1988年)は，
電子の電荷とスピンが強く相互作用することを始めて示した．その後，トンネル
磁気抵抗効果，スピントルク効果など，次々と新しい物理現象が見いだされた．
これらは，新しい原理に基づくデバイス開発の流れへと結びつき，スピントロニ
クスと呼ばれる学術分野形成の核となった．
産総研では，2004年に結晶性MgO薄膜をトンネルバリアにもつ強磁性トンネル接
合を開発した．これは，ハードディスクの再生磁気ヘッド，磁気抵抗型ランダム
アクセアスメモリ(MRAM)(16メガビット)としてすでに実用化されている．現在は，
ギガビットクラスの大容量MRAMの開発を目指して産学官共同で研究開発を行って
いる．これと同時に，MRAM開発で培った技術をベースに新規スピントロニクスデ
バイスの開発も進めている．
本セミナーでは，トンネル磁気抵抗効果，スピントルク効果などのスピントロニ
クス分野における重要な物理現象とそれと同調したMRAMの発展を概説する．さら
に，物理乱数発生器（スピンダイス），高周波素子などの新規スピントロニクス
デバイスの開発状況について述べる．
問合先：鈴木 義茂 （基礎工Ｄ棟409号室）
Tel: 06-6850-6425
E-mail:suzuki-y@mp.es.osaka-u.ac.jp
＊固体物理セミナーは、物性・未来（物性系）Ｍ２必修科目「ゼミナールIV」に
該当します。