カデットプログラム後援セミナー

日時 : 2014年9月29日（月）13:30～
場所：大学院工学研究科　M1棟412号室 ＠吹田キャンパス

講演者：中村 浩次 （三重大学大学院工学研究科）
講演題目：外部電場下における遷移金属薄膜磁性の第一原理計算

遷移金属薄膜の電界効果は基礎のみならず応用上興味深い現象である。例えば、電界によりFePt(PePｄ)薄膜／電解液界面系の保持力[1]やMgOとAuでサンドイッチされた数原子層FeCo薄膜の結晶磁気異方性エネルギーが変化すること[2]、PtとMgOでサンドイッチされた数原子層Co 薄膜ではキュリー温度が変化すること[3]が報告されている。我々も、フリースタンディング及び基板上の遷移金属薄膜に対して、外部電場印加による誘導表面電荷や原子変位を介した結晶磁気異方性エネルギーとキュリー温度の変化について第一原理的に考察し、金属薄膜磁性に対する電界効果を明らかにしてきた。電子構造計算には外部電場及びスピンスパイラル構造を考慮したfilm full-potential linearized augmented plane-wave method(FLAPW)法を用い、また、結晶磁気異方性エネルギーにはスピン軌道相互作用を考慮した第二変分法とフォース理論により、キュリー温度は第一原理計算から求めたマグノン分散とモンテカルロ法により計算した。本セミナーでは、外部電場下における遷移金属単原子層膜の結晶磁気異方性及びキュリー温度に対する電界効果の計算結果を紹介する。

[1] Weisheit, et. al., Science 315 (2007) 349.
[2] Maruyama, et. al., Nature Nanotech. 4 (2009) 158.
[3] Chiba, et. al., Nat. Mater. 10 (2011) 853.
[4] Nakamura, et. al., Phys. Rev. Lett. 102 (2009) 187201,
Phys. Rev. B 80 (2009) 172402, Phys. Rev. B 81 (2010) 220409.
========================================================

【問合せ先】森川良忠
　Tel: 06-6879-7288
　E-mail:morikawa@prec.eng.osaka-u.ac.jp