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固体物理セミナー 平成25年度 第7回

固体物理セミナー 平成25年度 第7回

2014年1月14日

固体物理セミナー
(平成25年度 第7回)
(インタラクティブ物質科学カデットプログラム講演会)

日時:1月14日(火)14:40-16:10
場所:基礎工学部 A403講義室
講師:久保田 均
(産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス研究センター)
題目:「スピントロニクスデバイスの発展」

概要: 磁性金属人工格子における巨大磁気抵抗効果(GMR)の発見(1988年)は,
電子の電荷とスピンが強く相互作用することを始めて示した.その後,トンネル
磁気抵抗効果,スピントルク効果など,次々と新しい物理現象が見いだされた.
これらは,新しい原理に基づくデバイス開発の流れへと結びつき,スピントロニ
クスと呼ばれる学術分野形成の核となった.
産総研では,2004年に結晶性MgO薄膜をトンネルバリアにもつ強磁性トンネル接
合を開発した.これは,ハードディスクの再生磁気ヘッド,磁気抵抗型ランダム
アクセアスメモリ(MRAM)(16メガビット)としてすでに実用化されている.現在は,
ギガビットクラスの大容量MRAMの開発を目指して産学官共同で研究開発を行って
いる.これと同時に,MRAM開発で培った技術をベースに新規スピントロニクスデ
バイスの開発も進めている.
本セミナーでは,トンネル磁気抵抗効果,スピントルク効果などのスピントロニ
クス分野における重要な物理現象とそれと同調したMRAMの発展を概説する.さら
に,物理乱数発生器(スピンダイス),高周波素子などの新規スピントロニクス
デバイスの開発状況について述べる.

問合先:鈴木 義茂 (基礎工D棟409号室)
Tel: 06-6850-6425
E-mail:suzuki-y@mp.es.osaka-u.ac.jp

*固体物理セミナーは、物性・未来(物性系)M2必修科目「ゼミナールIV」に
該当します。

H25固体物理セミナー(第7回)

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