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H29年度 第4回 固体物理セミナーを開催します

H29年度 第4回 固体物理セミナーを開催します

2017年11月16日

平成29年度 第4回 固体物理セミナー

日時:11月16日(木)14:40-16:10
場所:基礎工学研究科 講義棟 A403
講師:冨嶋 茂樹
(Intel Corporation, Intel Labs)
題目:「エレクトロニクス分野におけるメモリ・デバイスの物理と種類」

概要:
昨今のエレクトロニクスの発展には、CPUの進歩と同時にメモリデバイスの進化が必須です。
何故ならば、CPUが演算処理をするのに、演算する前の、または、した後のデータを記憶しておく場所が必要だからです。
主に、プロセス技術の微細化、トランジスタの特性向上によって、性能アップしてきたCPUと比べると、メモリ・デバイスは、データの記憶メカニズム、材料からして、色々な種類と住み分けがあります。
このセミナーでは、エレクトロニクス分野のメモリ階層構造の紹介から、各階層に位置しているメモリ・デバイスの紹介、そして、最近提案されているの新規メモリ・デバイスと、
半導体業界での最新メモリ情報をご紹介します。

問合先:鈴木 義茂(基礎工学研究科教授)

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